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ADR421 数据手册

型号系列:
ADR421 系列
分类:
电压基准芯片
描述:
2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
更新于: 2023/01/13 02:15:40 (UTC + 8)

ADR421 电压基准芯片 数据手册

#1
ADR421ARZ

ADR421ARZ

数据手册 (25 )
6.9
ADI(亚德诺)
#2
ADR421BRZ

ADR421BRZ

数据手册 (25 )
6.1
ADI(亚德诺)
#3
ADR421ARMZ

ADR421ARMZ

数据手册 (25 )
5.2
ADI(亚德诺)

ADR421 数据手册 电压基准芯片

25
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
25
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
24
ADI(亚德诺)
超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
24
ADI(亚德诺)
2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
24
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
24
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
21
ADI(亚德诺)
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ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

ADR421ARMZ-REEL7 - ADI(亚德诺) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
MSOP-8
输入电压(DC)
18.0V (max)
输出电压
2.5 V
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ADR421ARMZ-REEL7 - ADI(亚德诺) 概述

参考电压,2.5V,Analog Devices
### 电压参考,Analog Devices
精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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