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BSS138 数据手册

型号系列:
BSS138 系列
分类:
MOS管
描述:
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿
更新于: 2023/01/13 01:19:35 (UTC + 8)

BSS138 MOS管 数据手册

#1
BSS138

BSS138

数据手册 (21 )
6.2
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
BSS138P,215

BSS138P,215

数据手册 (18 )
3.6
Nexperia(安世)
#3
BSS138BKS,115

BSS138BKS,115

数据手册 (18 )
3.4
Nexperia(安世)
#4
BSS138BK,215

BSS138BK,215

数据手册 (18 )
2.9
Nexperia(安世)

BSS138 数据手册 MOS管

18
Vishay Semiconductor(威世)
17
ON Semiconductor(安森美)
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿
17
Nexperia(安世)
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS138PW,115, 320 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
17
Good-Ark Electronics(固锝)
17
Zetex
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS
17
Infineon(英飞凌)
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS
17
Siemens Semiconductor(西门子)
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 J1
17
Diodes(美台)
16
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V
16
Diodes(美台)
N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏
16
Nexperia(安世)
N-沟道 60 V 1.6 Ohm 0.6 nC 表面贴装 Trench Mosfet - SOT-323
8
Diodes(美台)
BSS138W-7-F 编带
7
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷
6
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138K, 220 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
5
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 200毫安, 50 V Power MOSFET 200 mA, 50 V
5
CJ(长电科技)
N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V

BSS138 - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.7 Ω
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BSS138 - ON Semiconductor(安森美) 概述

增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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