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1N5364AE3/TR8
2.625
1N5364AE3/TR8 数据手册 (6 页)
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1N5364AE3/TR8 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
T-18-2
功耗
5 W
测试电流
40 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

1N5364AE3/TR8 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

1N5364AE3/TR8 数据手册

Microchip(微芯)
6 页 / 0.31 MByte

1N5364AE3 数据手册

Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
稳压二极管 稳压二极管
Microchip(微芯)
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