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器件3D模型
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1PS79SB70 数据手册 - NXP(恩智浦)
制造商:
NXP(恩智浦)
分类:
肖特基二极管
封装:
SOD-523
描述:
NXP 1PS79SB70 小信号肖特基二极管, 单, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
Pictures:
3D模型
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1PS79SB70 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
SOD-523
针脚数
2 Position
正向电压
410 mV
正向电流
70 mA
最大正向浪涌电流
100 mA
正向电压(Max)
1 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
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1PS79SB70 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-65℃ ~ 150℃
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1PS79SB70 符合标准
1PS79SB70 概述
●
反向电压VrReverse Voltage| 40V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 120mA/0.12A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Schottky barrier diode. · Low forward voltage · Guard ring protected · Ultra high-speed switching · Voltage clamping · Protection circuits · Blocking diodes. 描述与应用| 肖特基势垒二极管 ·低正向电压,低压降。 ·保护环保护 ·超高速开关 ·电压钳位 ·保护电路
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NXP(恩智浦)
NXP 1PS79SB30 小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
1PS79
SB30,115
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Nexperia(安世)
Nexperia 二极管 1PS79SB30,115 肖特基, Io=200mA, Vrev=40V, 2引脚 I-IGIA封装
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NXP 1PS79SB31 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
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200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
1PS79
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NXP(恩智浦)
200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
1PS79
SB30,115
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NXP(恩智浦)
200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
1PS79
SB10,115
数据手册
Nexperia(安世)
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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NXP(恩智浦)
NXP 1PS79SB10 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
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