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2N2219A
0.201
2N2219A 数据手册 (5 页)
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2N2219A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
250 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
600 mA
封装
TO-39
额定功率
800 mW
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
800 mW
集电极击穿电压
75.0 V
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
800 mW
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
800 mW

2N2219A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Bag
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 175℃

2N2219A 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.07 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.23 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.03 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.16 MByte

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