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2N3055HG
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2N3055HG 数据手册 (4 页)
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2N3055HG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
15.0 A
封装
TO-204
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
20 @4A, 4V
额定功率(Max)
115 W

2N3055HG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N3055HG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte

2N3055 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N3055  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
Solid State
双极性晶体管, NPN, 60V, TO-3
Multicomp
MULTICOMP  2N3055  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 800 kHz, 115 W, 15 A, 5 hFE
Motorola(摩托罗拉)
NTE Electronics
Central Semiconductor
Microsemi(美高森美)
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
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