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2N4922G
0.331
2N4922G 数据手册 (7 页)
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2N4922G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
3 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-225-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
30 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
热阻
4.16℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
30 @500mA, 1V
最大电流放大倍数
150
额定功率(Max)
30 W
直流电流增益(hFE)
10
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
30000 mW

2N4922G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
7.8 mm
宽度
2.66 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

2N4922G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 1.83 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

2N4922 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
1安培通用功率晶体管30瓦 1 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 30 WATTS
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Advanced Semiconductor
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