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2N5191 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

中功率NPN硅晶体管 MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N5191 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页 7 页

2N5191 数据手册 (9 页)

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2N5191 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

2 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

4.00 A

封装

TO-126-3

极性

NPN

功耗

40 W

集电极击穿电压

60.0 V

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

最小电流放大倍数

25 @1.5A, 2V

最大电流放大倍数

100

额定功率(Max)

40 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

耗散功率(Max)

40000 mW

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2N5191 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

7.8 mm

宽度

2.7 mm

高度

10.8 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2N5191 符合标准

2N5191 海关信息

2N5191 概述

2N5191 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.22 MByte

2N5191 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.04 MByte

2N5191 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.16 MByte

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