￥ 0

2N7000 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

STMICROELECTRONICS 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N7000 数据手册 (14 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页

2N7000 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2N7000 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

350 mA

封装

TO-92-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

400 mW

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±18.0 V

连续漏极电流(Ids)

350 mA

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

43pF @25V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Tc)

查看数据手册 >

2N7000 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Bulk

长度

4.95 mm

宽度

3.94 mm

高度

4.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

2N7000 符合标准