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2SB1198KT146R
0.036
2SB1198KT146R 数据手册 (4 页)
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2SB1198KT146R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
180 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
200 mW
极性
PNP
功耗
200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
180 @100mA, 3V
最大电流放大倍数
390
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

2SB1198KT146R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2SB1198KT146R 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.96 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.1 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

2SB1198KT146 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SB1198KT146R 编带
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 180 MHz, 200 mW, -500 mA, 120 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP三极管 -80V -500mA 180MHz 180~390 -500mV SOT-23 代码 AKR 高击穿电压
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
PNP三极管 -80V -500mA 180MHz 120~270 -500mV SOT-23 代码 AKQ 高击穿电压
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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