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2SD1898T100
0.927
2SD1898T100 数据手册 (8 页)
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2SD1898T100 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
MPT
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
1A

2SD1898T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
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2SD1898T100 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
8 页 / 0.4 MByte

2SD1898 数据手册

CJ(长电科技)
2SD1898 R档180-390 DF 编带
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
功率晶体管( 80V , 1A ) Power Transistor (80V, 1A)
UTC(友顺)
功率晶体管
Micro Commercial Components(美微科)
Galaxy Semi-Conductor
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN 功率晶体管,ROHM### 双极晶体管,ROHM
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  2SD1898T100Q  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 500 mA, 82 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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