器件3D模型

￥ 2.199

ADG636YRUZ-REEL7 数据手册 - ADI（亚德诺）

制造商:

ADI（亚德诺）

分类:

多工器

封装:

TSSOP-14

描述:

2-电路-IC-开关-2：1-115-欧姆-14-TSSOP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ADG636YRUZ-REEL7 数据手册 (16 页)

引脚图在10 页Hot

封装尺寸在16 页

原理图在1 页

ADG636YRUZ-REEL7 数据手册 (16 页)

查看文档

或点击图片查看大图

ADG636YRUZ-REEL7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

14 Pin

封装(公制)

SOP

封装

TSSOP-14

输出接口数

4 Output

触点类型

SPDT

供电电流

0.001 mA

电路数

2 Circuit

通道数

2 Channel

位数

2 Bit

功耗

0.00001 W

输入数

2 Input

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

3dB带宽

610 MHz

耗散功率(Max)

0.01 mW

电源电压(Max)

5.5 V

电源电压(Min)

2.7 V

查看数据手册 >

ADG636YRUZ-REEL7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

4.4 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TA)

查看数据手册 >

ADG636YRUZ-REEL7 符合标准

ADG636YRUZ-REEL7 数据手册

ADI（亚德诺）

16 页 / 0.48 MByte

ADG636YRUZ-REEL7 其他数据使用手册

ADI（亚德诺）

17 页 / 0.24 MByte

ADG636 数据手册

ADI（亚德诺）

1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch

ADG636YRUZ 数据手册

ADI（亚德诺）

ANALOG DEVICES ADG636YRUZ 模拟开关, 双通道, SPDT, 2 放大器, 115 ohm, ± 2.7V 至 ± 5.5V, TSSOP, 14 引脚

ADG636YRUZ-REEL7 数据手册

ADI（亚德诺）

2-电路-IC-开关-2：1-115-欧姆-14-TSSOP

ADG636YRUZ-REEL 数据手册

ADI（亚德诺）

模拟开关 IC 2:1 400MHz 2.2 Ohm CMOS Dual SPDT

ADG636YRU 数据手册

ADI（亚德诺）

1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch

ADG636YRU-REEL 数据手册

ADI（亚德诺）

1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏， CMOS ， ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, Â±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch

ADG636YRU-REEL7 数据手册

ADI（亚德诺）

ADG636YRUZ-REEL71 数据手册

ADI（亚德诺）

1 pC的电荷注入， 100 pA的泄漏， CMOS ， ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, Â±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号