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APT50GN60BG
4.751
APT50GN60BG 数据手册 (6 页)
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APT50GN60BG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
107 A
封装
TO-247-3
功耗
366 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
366 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
366000 mW

APT50GN60BG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
高度
5.31 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

APT50GN60BG 数据手册

Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.29 MByte
Microsemi(美高森美)
12 页 / 1.03 MByte
Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.12 MByte
Microsemi(美高森美)
40 页 / 4.07 MByte

APT50GN60 数据手册

Microsemi(美高森美)
谐振模式的Combi IGBT Resonant Mode Combi IGBT
Microsemi(美高森美)
谐振模式的Combi IGBT Resonant Mode Combi IGBT
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
谐振模式的Combi IGBT Resonant Mode Combi IGBT
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
谐振模式的Combi IGBT Resonant Mode Combi IGBT
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