●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 45V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 420~800
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV
●耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W
●Description & Applications| NPN general purpose transistor FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification.
●描述与应用| NPN通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。
NXP（恩智浦）
15 页 / 1.24 MByte
NXP（恩智浦）
10 页 / 0.07 MByte
CJ（长电科技）
NPN,Vceo=45V,Ic=0.1A,hfe=110~220,丝印1E
NXP（恩智浦）
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
BC847 NPN三极管 50V 100mA/0.1A 300MHz 110~800 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1F 通用开关和放大
Nexperia（安世）
小信号 NPN 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
Infineon（英飞凌）
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
ST Microelectronics（意法半导体）
小信号NPN晶体管 SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
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