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BC847CDXV6T1G
0.038
BC847CDXV6T1G 数据手册 (5 页)
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BC847CDXV6T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-563
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
6 Position
极性
NPN
功耗
500 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
500 mW
直流电流增益(hFE)
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BC847CDXV6T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
1.6 mm
宽度
1.2 mm
高度
0.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BC847CDXV6T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte

BC847CDXV6T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC847CDXV6T1G  双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 45 V, 500 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-563 新
ON Semiconductor(安森美)
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