Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Infineon(英飞凌) > BCR112E6327HTSA1 Datasheet 文档
BCR112E6327HTSA1
0.022
BCR112E6327HTSA1 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BCR112E6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
0.2 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
20 @5mA, 5V
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
20
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
140 MHz
耗散功率(Max)
200 mW

BCR112E6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm

BCR112E6327HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.81 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.66 MByte

BCR112E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon BCR112E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: BCR112 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z