BD676G

￥ 0.05

BD676G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

PNP 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BD676G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

原理图在3 页

BD676G 数据手册 (4 页)

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BD676G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-45.0 V

额定电流

-4.00 A

封装

TO-126-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

PNP

功耗

40 W

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

4A

最小电流放大倍数

750 @1.5A, 3V

额定功率(Max)

40 W

直流电流增益(hFE)

750

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40000 mW

查看数据手册 >

BD676G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

长度

7.74 mm

宽度

2.66 mm

高度

11.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BD676G 符合标准

BD676G 海关信息

BD676G 概述

BD676G 数据手册

BD676G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.05 MByte

BD676G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.23 MByte

BD676G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

BD676G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.07 MByte

BD676 数据手册

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