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BF545B
0.12
BF545B 数据手册 (130 页)
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BF545B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
击穿电压
30.0 V
极性
N-Channel
功耗
250 mW
击穿电压
30 V
工作温度(Max)
150 ℃

BF545B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)

BF545B 数据手册

NXP(恩智浦)
130 页 / 9.13 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.12 MByte

BF545 数据手册

NXP(恩智浦)
N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
NXP(恩智浦)
NXP  BF545B  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 6 mA, 15 mA, 7.5 V, SOT-23, JFET
NXP(恩智浦)
NXP  BF545C,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 30V, 25mA, 3-SOT-23
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
BF545A N沟道MOSFET 30V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 MG5 低噪声增益控制放大器
NXP(恩智浦)
BF545C N沟道MOSFET 30V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 M67 低噪声增益控制放大器
NXP(恩智浦)
N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
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