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BFP 420 H6327
0.11
BFP 420 H6327 数据手册 (9 页)
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BFP 420 H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
25000 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-343
额定功率
0.16 W
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
160 mW
最小电流放大倍数
60
直流电流增益(hFE)
95
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
160 mW

BFP 420 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BFP 420 H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.54 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BFP420 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
BFP420 NPN三极管 10V 35mA 25GHz 60~130 SOT-343 marking/标记 AM 高增益低噪声放大器
Sanyo Semiconductor(三洋)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP420H6327  射频晶体管, NPN, 25GHZ, 4.5V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP420H6327XTSA1  射频晶体管, NPN, 25GHZ, 4.5V, SOT-343
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP420FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 420 H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 160 mW, 35 mA, 95 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, 60 hFE
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