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BSC027N04LS G
2.068
BSC027N04LS G 数据手册 (10 页)
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BSC027N04LS G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
TDSON-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
2.3 mΩ
极性
N-Channel
功耗
83 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
上升时间
5.6 ns
输入电容值(Ciss)
6800pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
83 W
下降时间
6.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5 W

BSC027N04LS G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.35 mm
宽度
5.35 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSC027N04LS G 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.62 MByte

BSC027N04 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC027N04LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC027N04LS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 1.2 V
Infineon(英飞凌)
的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS™3 Power-Transistor
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