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BSC047N08NS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC047N08NS3GATMA1, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC047N08NS3GATMA1 数据手册 (9 页)

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BSC047N08NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

额定功率

125 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

3.9 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

连续漏极电流(Ids)

18A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

3600pF @40V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

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BSC047N08NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 15℃

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BSC047N08NS3GATMA1 符合标准

BSC047N08NS3GATMA1 概述

BSC047N08NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.28 MByte

BSC047N08NS3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC047N08NS3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC047N08NS3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

416 页 / 5.83 MByte

BSC047N08NS3GATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.07 MByte

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