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BSC160N10NS3GXT 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC160N10NS3GXT 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

BSC160N10NS3GXT 数据手册 (10 页)

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BSC160N10NS3GXT 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TDSON

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

8.8A

上升时间

15 ns

下降时间

5 ns

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BSC160N10NS3GXT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC160N10NS3GXT 符合标准

BSC160N10NS3GXT 数据手册

Infineon（英飞凌）

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