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BSC160N15NS5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TDSON-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 150 V, 0.0137 ohm, 10 V, 3.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

BSC160N15NS5ATMA1 数据手册 (28 页)

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BSC160N15NS5ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

TDSON-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0137 Ω

极性

N-CH

功耗

96 W

阈值电压

3.8 V

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

8.8A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

1370pF @75V(Vds)

下降时间

2.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

96000 mW

BSC160N15NS5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

BSC160N15NS5ATMA1 符合标准

BSC160N15NS5ATMA1 概述

BSC160N15NS5ATMA1 数据手册

BSC160N15NS5ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 1.49 MByte

BSC160N15NS5ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

BSC160N15NS5ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC160N15NS5 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 150V 56A

BSC160N15NS5ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 150 V, 0.0137 ohm, 10 V, 3.8 V

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