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BSS670S2L H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BSS670S2L H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 540 mA, 55 V, 0.346 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSS670S2L H6327 数据手册 (8 页)

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BSS670S2L H6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.346 Ω

极性

N-Channel

功耗

360 mW

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

75pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

360 mW

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

360mW (Ta)

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BSS670S2L H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSS670S2L H6327 符合标准

BSS670S2L H6327 海关信息

BSS670S2L H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.14 MByte

BSS670S2L H6327 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.25 MByte

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