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BSZ0901NSI
0.679
BSZ0901NSI 数据手册 (9 页)
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BSZ0901NSI 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TSDSON-8-FL
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0018 Ω
极性
N-Channel
功耗
69 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
25A
上升时间
7.2 ns
输入电容值(Ciss)
2600pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
69 W
下降时间
4.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)

BSZ0901NSI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSZ0901NSI 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.04 MByte

BSZ0901 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ0901NSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ0901NSI  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET
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