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CSD16301Q2 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

SMD-6

描述:

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD16301Q2 数据手册 (16 页)

引脚图在7 页 8 页 15 页Hot

封装尺寸在15 页

典型应用电路图在12 页

原理图在1 页

CSD16301Q2 数据手册 (16 页)

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CSD16301Q2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SMD-6

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.019 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.3 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

上升时间

4.4 ns

输入电容值(Ciss)

340pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max)

2.3 W

下降时间

1.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.3W (Ta)

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CSD16301Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD16301Q2 符合标准

CSD16301Q2 概述

CSD16301Q2 数据手册

TI（德州仪器）

16 页 / 0.3 MByte

CSD16301Q2 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.42 MByte

CSD16301Q2 产品修订记录

TI（德州仪器）

3 页 / 0.14 MByte

CSD16301 数据手册

CSD16301Q2 数据手册

TI（德州仪器）

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD16301Q2_11 数据手册

TI（德州仪器）

N通道NexFET ™功率MOSFET N-Channel NexFET? Power MOSFETs

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