￥ 0.556

CSD18531Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PowerTDFN-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD18531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18531Q5A 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD18531Q5A 数据手册 (13 页)

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CSD18531Q5A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerTDFN-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0035 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

7.8 ns

输入电容值(Ciss)

3840pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

下降时间

2.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 156W (Tc)

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CSD18531Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5.8 mm

宽度

5 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD18531Q5A 符合标准

CSD18531Q5A 概述