器件3D模型

￥ 1.618

CSD19505KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19505KCS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19505KCS 数据手册 (12 页)

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封装尺寸在9 页 10 页

CSD19505KCS 数据手册 (12 页)

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CSD19505KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0026 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

2.6 V

漏源极电压(Vds)

80 V

连续漏极电流(Ids)

150A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

7820pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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CSD19505KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD19505KCS 符合标准

CSD19505KCS 概述

CSD19505KCS 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.74 MByte

CSD19505KCS 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.74 MByte

CSD19505KCS 产品修订记录

TI（德州仪器）

6 页 / 0.25 MByte

CSD19505 数据手册

CSD19505KCS 数据手册

TI（德州仪器）

80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19505KCS

CSD19505KTT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD19505KTT 晶体管, MOSFET, N沟道, 212 A, 80 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.6 V 新

CSD19505KTTT 数据手册

TI（德州仪器）

80V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、3.1mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

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