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Datasheet 搜索 > MOS管 > TI(德州仪器) > CSD25402Q3A Datasheet 文档
CSD25402Q3A
器件3D模型
0.418
CSD25402Q3A 数据手册 (15 页)
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CSD25402Q3A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSON-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0077 Ω
极性
P-Channel
功耗
69 W
阈值电压
900 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
35A
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
1790pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2.8 W
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.8W (Ta), 69W (Tc)

CSD25402Q3A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

CSD25402Q3A 数据手册

TI(德州仪器)
15 页 / 1 MByte
TI(德州仪器)
32 页 / 1.58 MByte
TI(德州仪器)
4 页 / 0.18 MByte

CSD25402Q3 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD25402Q3A  晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0077 ohm, -4.5 V, 900 mV
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