￥ 0.27

CSD83325L 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

XFBGA-6

描述:

CSD83325L，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD83325L 数据手册 (14 页)

封装尺寸在8 页 10 页 12 页 13 页

CSD83325L 数据手册 (14 页)

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CSD83325L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

XFBGA-6

通道数

2 Channel

漏源极电阻

5.9 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.3 W

阈值电压

750 mV

漏源极电压(Vds)

12 V

漏源击穿电压

±12 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

353 ns

输入电容值(Ciss)

902pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

2.3 W

下降时间

589 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2300 mW

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CSD83325L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.15 mm

高度

0.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD83325L 符合标准

CSD83325L 概述

CSD83325L 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 1.15 MByte

CSD83325L 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

23 页 / 0.96 MByte

CSD83325 数据手册

CSD83325L 数据手册

TI（德州仪器）

CSD83325L，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD83325LT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD83325LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 12 V, 0.0099 ohm, 4.5 V, 950 mV

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