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EL817(B)-G
0.114
EL817(B)-G 数据手册 (14 页)
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EL817(B)-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
DIP-4
上升/下降时间
6µs, 8µs
通道数
1 Channel
正向电压
1.2 V
隔离电压
5000 Vrms
正向电流
60 mA
输出电压(Max)
80 V

EL817(B)-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 110℃

EL817(B)-G 数据手册

Everlight Electronics(亿光)
14 页 / 0.73 MByte
Everlight Electronics(亿光)
12 页 / 0.77 MByte

EL817 数据手册

Everlight Electronics(亿光)
35 V 5000 Vrms 光电耦合器 通孔 - DIP-6
Intersil(英特矽尔)
Ericsson Microelectronics
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Everlight Electronics(亿光)
EL817C 贴片光耦 特定场合可代替PC817 C
Everlight Electronics(亿光)
Everlight Electronics(亿光)
EL817S1(C)(TU) 编带
Everlight Electronics(亿光)
EL817(C) 管装
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