￥ 0.917

FDD18N20LZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD18N20LZ, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDD18N20LZ 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDD18N20LZ 数据手册 (8 页)

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FDD18N20LZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.1 Ω

功耗

89 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

200 V

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

1185pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

89 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

89 W

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FDD18N20LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

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FDD18N20LZ 符合标准

FDD18N20LZ 概述

FDD18N20LZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 1.13 MByte

FDD18N20LZ 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 1.26 MByte

FDD18N20LZ 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.67 MByte

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UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。

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