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FDH055N15A
3.497
FDH055N15A 数据手册 (9 页)
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FDH055N15A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.0048 Ω
极性
N-Channel
功耗
429 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
167A
上升时间
67 ns
输入电容值(Ciss)
9445pF @75V(Vds)
额定功率(Max)
429 W
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
429W (Tc)

FDH055N15A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
20.82 mm
宽度
15.87 mm
高度
4.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

FDH055N15A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.77 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.57 MByte

FDH055N15 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FDH055N15A 系列 150 V 167 A 5.9 mOhm N-沟道 PowerTrench® MOSFET - TO-247-3
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