FDMA410NZ

￥ 0.429

FDMA410NZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

MicroFET-6

描述:

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDMA410NZ 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

FDMA410NZ 数据手册 (7 页)

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FDMA410NZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

MicroFET-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.023 Ω

功耗

2.4 W

阈值电压

700 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

3.9 ns

输入电容值(Ciss)

815pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

下降时间

3.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

900 mW

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FDMA410NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDMA410NZ 符合标准

FDMA410NZ 概述

FDMA410NZ 数据手册

FDMA410NZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.45 MByte

FDMA410NZ 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 1.45 MByte

FDMA410NZ 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 1.17 MByte

FDMA410 数据手册

FDMA410NZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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FDMA410NZT 数据手册

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FDMA410NZT: 超薄 N 沟道，1.5 V，PowerTrench? MOSFET，20V，9.5A，23mΩ

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