器件3D模型

￥ 0.828

FDMA507PZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA507PZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 0.019Ω, -7.8A, MICROFET-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDMA507PZ 数据手册 (7 页)

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FDMA507PZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WDFN-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.019 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.4 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

7.8A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

2015pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

下降时间

96 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.4W (Ta)

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FDMA507PZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDMA507PZ 符合标准

FDMA507PZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.29 MByte

FDMA507PZ 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.4 MByte

FDMA507PZ 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

2 页 / 0.24 MByte

FDMA507 数据手册

FDMA507PZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA507PZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 0.019Ω, -7.8A, MICROFET-6

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ON Semiconductor（安森美）

场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 0.019Ω, -7.8A, MICROFET-6

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