Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDN360P Datasheet 文档
FDN360P
0.098
FDN360P 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDN360P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-2.00 A
封装
SOT-23-3
额定功率
500 mW
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
P-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
20 V
输入电容
298 pF
栅电荷
6.20 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
-30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
298pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.5 W

FDN360P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDN360P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.18 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FDN360 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
单P沟道MOSFET PowerTrenchTM Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN360P  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -30 V, 80 mohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z