器件3D模型

￥ 0.17

FDS6930B 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6930B. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDS6930B 数据手册 (5 页)

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FDS6930B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

5.50 A

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.031 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1.9 V

输入电容

412 pF

栅电荷

3.80 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.50 A

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

412pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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FDS6930B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDS6930B 符合标准

FDS6930B 海关信息