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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDS8958A_F085 Datasheet 文档
FDS8958A_F085
器件3D模型
0.671
FDS8958A_F085 数据手册 (10 页)
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FDS8958A_F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.019 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
7A/5A
输入电容值(Ciss)
575pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

FDS8958A_F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.575 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS8958A_F085 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.13 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.73 MByte

FDS8958 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双N和P沟道PowerTrench MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958A  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958B  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.4 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958A_F085  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958B, 4.5 A,6.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958A_F085, 5 A,7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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