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FDS9926A
器件3D模型
0.227
FDS9926A 数据手册 (11 页)
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FDS9926A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.025 Ω
功耗
2 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
20 V
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
650pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

FDS9926A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS9926A 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.84 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.58 MByte

FDS9926 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9926A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS9926A, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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