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FJB102TM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJB102TM 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FJB102TM 数据手册 (2 页)

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FJB102TM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-263-3

额定功率

80 W

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

80 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

1000 @3A, 4V

额定功率(Max)

80 W

直流电流增益(hFE)

200

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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FJB102TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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FJB102TM 符合标准

FJB102TM 海关信息

FJB102TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

2 页 / 0.19 MByte

FJB102TM 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FJB102TM 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

FJB102TM 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.13 MByte

FJB102 数据手册

FJB102TM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJB102TM 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE

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单晶体管双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE

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