￥ 0.4

FQD17N08LTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQD17N08LTM 数据手册 (2 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQD17N08LTM 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

80.0 V

额定电流

12.9 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

100 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.9 A

上升时间

290 ns

输入电容值(Ciss)

520pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 40W (Tc)

查看数据手册 >

FQD17N08LTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

6.1 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FQD17N08LTM 符合标准

FQD17N08LTM 海关信息

FQD17N08LTM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

2 页 / 0.22 MByte

FQD17N08LTM 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

FQD17N08 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

FQD17N08 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQD17N08LTF 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道 80V 12.9A

FQD17N08LTM 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQD17N08LTM 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FQD17N08L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

LOGIC 80V N沟道MOSFET 80V LOGIC N-Channel MOSFET

FQD17N08LTF 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号