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FQD5P20TM
0.611
FQD5P20TM 数据手册 (9 页)
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FQD5P20TM 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.1 Ω
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
200 V
上升时间
70 ns
输入电容值(Ciss)
430pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

FQD5P20TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FQD5P20TM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 1.82 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 1.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.87 MByte

FQD5P20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD5P20TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -200 V, 1.1 ohm, -10 V, -3 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -200 V, 1.1 ohm, -10 V, -3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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