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FQT4N20LTF
1.191
FQT4N20LTF 数据手册 (1 页)
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FQT4N20LTF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
850 mA
封装
TO-261-4
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.1 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.2 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
850 mA
上升时间
70 ns
输入电容值(Ciss)
310pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.2 W
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.2 W

FQT4N20LTF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.56 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQT4N20LTF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.11 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.81 MByte

FQT4N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT4N20LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT4N20LTF, 850 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 200V 850mA
Fairchild(飞兆/仙童)
LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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