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HIP2100IBZ
器件3D模型
1.747
HIP2100IBZ 数据手册 (1 页)
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HIP2100IBZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
9.00 V, 14.0 V (max)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
10 ns
输出接口数
2 Output
输出电压
118.3 V
输出电流
2 A
针脚数
8 Position
功耗
1.3 W
上升时间
20 ns
输出电压(Max)
12 V
下降时间
10 ns
下降时间(Max)
10 ns
上升时间(Max)
10 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1300 mW
电源电压
9V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
9 V

HIP2100IBZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

HIP2100IBZ 数据手册

Intersil(英特矽尔)
1 页 / 0.71 MByte
Intersil(英特矽尔)
12 页 / 0.34 MByte
Intersil(英特矽尔)
10 页 / 0.14 MByte

HIP2100 数据手册

Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Intersil(英特矽尔)
INTERSIL  HIP2100IBZ  双功率驱动器, 半桥, 9V-14V电源, 2A输出, 20ns延迟, SOIC-8
Intersil(英特矽尔)
HIP2100 系列 低压侧/高压侧 N沟道 114 V 2 A 半桥 驱动器 - SOIC-8
Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Intersil(英特矽尔)
驱动N沟道MOSFET半桥 Drives N-Channel MOSFET Half Bridge
Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Intersil(英特矽尔)
100V / 2A峰值,低成本,高频率半桥驱动器 100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
Renesas Electronics(瑞萨电子)
MOSFET & IGBT 驱动器,Intersil
Renesas Electronics(瑞萨电子)
MOSFET驱动器, 半桥, 9V至14V电源, 2A输出, 20ns延迟, SOIC-8
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