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HUF75329G3
1.079
HUF75329G3 数据手册 (9 页)
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HUF75329G3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
49.0 A
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
24 mΩ
极性
N-Channel
功耗
128 W
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
49.0 A
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
1060pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
128 W
下降时间
33 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
128W (Tc)

HUF75329G3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
高度
20.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUF75329G3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.28 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.24 MByte

HUF75329 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75329D3ST.  场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 20A
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75329D3ST, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
49A , 55V , 0.024 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 55V 49A
Fairchild(飞兆/仙童)
49A , 55V , 0.024 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
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