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IPB60R099CP
4.991
IPB60R099CP 数据手册 (10 页)
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IPB60R099CP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.09 Ω
极性
N-Channel
功耗
255 W
阈值电压
3 V
输入电容
2.80 nF
栅电荷
80.0 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
31.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
2800pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
255 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
255W (Tc)

IPB60R099CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.31 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.57 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPB60R099CP 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.31 MByte

IPB60R099 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB60R099C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB60R099CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB60R099CPATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
N沟道 650V 22A
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB60R099C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 31A
Infineon(英飞凌)
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