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IPB60R280C6
3.291
IPB60R280C6 数据手册 (19 页)
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IPB60R280C6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
104 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
13.8A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
950pF @100V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
104W (Tc)

IPB60R280C6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPB60R280C6 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 1.55 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPB60R280 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
N沟道 600V 13.8A
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPB60R280P6 TO-263-3
Infineon(英飞凌)
N沟道 650V 12A
Infineon(英飞凌)
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