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IPD090N03LGATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD090N03LGATMA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IPD090N03LGATMA1 数据手册 (9 页)

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IPD090N03LGATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

42 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0075 Ω

极性

N-Channel

功耗

42 W

阈值电压

2.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

40A

输入电容值(Ciss)

1600pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

耗散功率(Max)

42W (Tc)

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IPD090N03LGATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

6.22 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPD090N03LGATMA1 符合标准

IPD090N03LGATMA1 概述

IPD090N03LGATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

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IPD090N03LGATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD090N03LGATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPD090N03LGATMA1 开发手册

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