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IPP200N25N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3-1

描述:

OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPP200N25N3G 数据手册 (11 页)

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IPP200N25N3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3-1

极性

N-Channel

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

250 V

输入电容值(Ciss)

7100pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

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IPP200N25N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPP200N25N3G 符合标准

IPP200N25N3G 海关信息

IPP200N25N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.74 MByte

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