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IR2101STR
器件3D模型
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IR2101STR 数据手册 (14 页)
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IR2101STR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
上升/下降时间
100ns, 50ns
电源电压
10V ~ 20V

IR2101STR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2101STR 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.13 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte

IR2101 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2101STRPBF  芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2101PBF  双路驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8
International Rectifier(国际整流器)
600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2101SPBF  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2101PBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2101SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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